Sleva!
Tranzistor HGTG30N60B3 TO247 | Akce končí brzy
Původní cena byla: 199,00 Kč.83,58 KčAktuální cena je: 83,58 Kč.
Doprava zdarma při objednávce nad 3 999,00 Kč
- Vaši objednávku doručíme rychle a nabízíme bezplatnou dopravu.
- 30denní možnost vrácení a refundace
Zajištění Bezpečné Platby
Popis
ONSEMI HGTG30N60B3
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 30A (60A při 25°C); max. ztrátový výkon 208W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 1200 |
| Pracovní proud (A): | 30 |
| Výkon (W): | 208 |
| Pouzdro: | TO247 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |





