Sleva!
K dispozici | Tranzistor IGB10N60T D2PAK
Původní cena byla: 50,00 Kč.26,00 KčAktuální cena je: 26,00 Kč.
Doprava zdarma při objednávce nad 3 999,00 Kč
- Vaši objednávku doručíme rychle a nabízíme bezplatnou dopravu.
- 30denní možnost vrácení a refundace
Zajištění Bezpečné Platby
Popis
Infineon IGB10N60T
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 10A; max. ztrátový výkon 110W; pouzdro D2PAK; SMD montáž do DPS; pracovní teplota -40÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 10 |
| Výkon (W): | 110 |
| Pouzdro: | D2PAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |





