Sleva!
Super nabídka - IPB100N06S2L05ATMA2 tranzistor N-MOSFET

Super nabídka – IPB100N06S2L05ATMA2 tranzistor N-MOSFET

Původní cena byla: 25,00 Kč.Aktuální cena je: 13,00 Kč.

Doprava zdarma při objednávce nad 3 999,00 Kč

  • Vaši objednávku doručíme rychle a nabízíme bezplatnou dopravu.
  • 30denní možnost vrácení a refundace
Zajištění Bezpečné Platby
Unterstuetzte Zahlungsmethoden
SKU: SK32WG005XL Kategorie: Štítek:

Popis

Infineon (IRF) IPB100N06S2L05ATMA2

Tranzistor N-MOSFET; OptiMOS; unipolární; max. napětí Drain-Source 55V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 100A; max. ztrátový výkon 300W; odpor v sepnutém stavu 0,0044; max. náboj hradla 230nC; pouzdro D2PAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.

Výhody

  • Certifikace pro automobilový průmysl AEC Q101
  • Velmi vysoký proud až 100A
  • Velmi nízký odpor v sepnutém stavu

Doplňkové parametry

Kategorie: Unipolární tranzistory N-kanál
Pracovní napětí (V): 55
Pracovní proud (A): 100
Výkon (W): 300
Pouzdro: D2PAK
Montáž: SMD
max. napětí Gate (V): ±20

Související produkty