Sleva!

Tranzistor HGTG30N60B3 TO247 | Akce končí brzy

Původní cena byla: 199,00 Kč.Aktuální cena je: 83,58 Kč.

Doprava zdarma při objednávce nad 3 999,00 Kč

  • Vaši objednávku doručíme rychle a nabízíme bezplatnou dopravu.
  • 30denní možnost vrácení a refundace
Zajištění Bezpečné Platby
Unterstuetzte Zahlungsmethoden
SKU: SK32WG005B5 Kategorie: Štítek:

Popis

ONSEMI HGTG30N60B3

Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 30A (60A při 25°C); max. ztrátový výkon 208W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.

Doplňkové parametry

Kategorie: IGBT tranzistory
Pracovní napětí (V): 1200
Pracovní proud (A): 30
Výkon (W): 208
Pouzdro: TO247
Montáž: THT
max. napětí Gate (V): ±20